PROM срещу EPROM
В електрониката и изчислителната техника елементите на паметта са от съществено значение за съхраняване на данни и тяхното извличане след това. В най-ранните етапи магнитните ленти са били използвани като памет, а с полупроводниковата революция елементите на паметта също са били разработени на базата на полупроводници. EPROM и EEPROM са типове енергонезависима полупроводникова памет.
Ако елемент на паметта не може да запази данни след изключване от захранването, той е известен като елемент с летлива памет. PROM и EPROM бяха пионерски технологии в клетки с енергонезависима памет (т.е. те могат да запазят данни след изключване от захранването), което доведе до разработването на модерни устройства с памет в твърдо състояние.
Какво е ПРОМ?
PROM означава програмируема памет само за четене, вид енергонезависима памет, създадена от Уенг Цинг Чоу през 1959 г. по искане на американските военновъздушни сили като алтернатива за паметта на моделите Atlas E и F ICBM на борда (въздушни) цифров компютър. Те са известни още като еднократна програмируема енергонезависима памет (OTP NVM) и програмируема на място памет само за четене (FPROM). В момента те се използват широко в микроконтролери, мобилни телефони, карти за радиочестотна идентификация (RFID), медийни интерфейси с висока разделителна способност (HDMI) и контролери за видеоигри.
Данните, записани в PROM, са постоянни и не могат да бъдат променяни; следователно те обикновено се използват като статична памет като фърмуер на устройства. Ранните компютърни BIOS чипове също бяха PROM чипове. Преди програмирането чипът има само битове със стойност едно „1“. В процеса на програмиране само необходимите битове се преобразуват в нула „0“чрез изгаряне на всеки бит на предпазителя. След като чипът е програмиран, процесът е необратим; следователно тези стойности са непроменими и постоянни.
Въз основа на технологията на производство, данните могат да бъдат програмирани на ниво пластина, финален тест или системна интеграция. Те се програмират с помощта на PROM програматор, който изгаря предпазителите на всеки бит чрез прилагане на относително голямо напрежение за програмиране на чипа (обикновено 6V за 2nm дебел слой). PROM клетките са различни от ROM; те могат да бъдат програмирани дори след производство, докато ROM могат да бъдат програмирани само при производството.
Какво е EPROM?
EPROM означава Erasable Programmable Read Only Memory, също категория устройства с енергонезависима памет, които могат да бъдат програмирани и също така изтрити. EPROM е разработен от Дов Фроман от Intel през 1971 г. въз основа на разследване на дефектни интегрални схеми, при които гейт връзките на транзисторите са се счупили.
Една EPROM клетка с памет е голяма колекция от транзистори с полеви ефекти с плаващ затвор. Данните (всеки бит) се записват върху отделни транзистори с полеви ефекти вътре в чипа с помощта на програматор, който създава контакти за източване на източника вътре. Въз основа на адреса на клетката конкретен FET съхранява данни и напрежения, много по-високи от нормалните работни напрежения на цифровата верига, използвани в тази операция. Когато напрежението се премахне, електроните се улавят в електродите. Поради много ниската си проводимост, изолационният слой от силициев диоксид (SiO2) между портите запазва заряда за дълги периоди, като по този начин запазва паметта за десет до двадесет години.
Един EPROM чип се изтрива при излагане на силен UV източник, като например лампа с живачни пари. Изтриването може да се извърши с помощта на ултравиолетова светлина с дължина на вълната, по-къса от 300 nm, и експозиция за 20 -30 минути от близко разстояние (<3 cm). За тази цел пакетът EPROM е изграден с прозорец от разтопен кварц, който излага силициевия чип на светлина. Следователно, EPROM е лесно разпознаваем от този характерен прозорец от стопен кварц. Изтриването може да се извърши и с рентгенови лъчи.
EPROM се използват основно като статични памети в големи схеми. Те бяха широко използвани като BIOS чипове в компютърни дънни платки, но са заменени от нови технологии като EEPROM, които са по-евтини, по-малки и по-бързи.
Каква е разликата между PROM и EPROM?
• PROM е по-старата технология, докато PROM и EPROM са устройства с енергонезависима памет.
• PROM могат да се програмират само веднъж, докато EPROM могат да се използват многократно и могат да се програмират многократно.
• Процесът при програмирането на PROMS е необратим; следователно паметта е постоянна. В EPROM паметта може да бъде изтрита чрез излагане на UV светлина.
• EPROM паметите имат прозорче от стопен кварц в опаковката, което позволява това. МАУ се опаковат в пълни пластмасови опаковки; следователно UV няма ефект върху балове
• В PROM данните се записват/програмират върху чипа чрез изгаряне на предпазителите на всеки бит, като се използват много по-високи напрежения от средните напрежения, използвани в цифровите схеми. EPROMS също използват високо напрежение, но не достатъчно, за да променят трайно полупроводниковия слой.
