BJT срещу IGBT
BJT (биполярен съединителен транзистор) и IGBT (биполярен транзистор с изолиран порт) са два вида транзистори, използвани за управление на токове. И двете устройства имат PN преходи и различна структура на устройството. Въпреки че и двата са транзистори, те имат значителни разлики в характеристиките.
BJT (биполярен съединителен транзистор)
BJT е тип транзистор, който се състои от два PN прехода (преход, направен чрез свързване на полупроводник тип p и полупроводник тип n). Тези две кръстовища се образуват чрез свързване на три полупроводникови части в реда на P-N-P или N-P-N. Следователно са налични два вида BJT, известни като PNP и NPN.
Към тези три полупроводникови части са свързани три електрода, а средният проводник се нарича „база“. Други две кръстовища са "емитер" и "колектор".
В BJT токът на големия колекторен емитер (Ic) се контролира от тока на малкия базов емитер (IB) и това свойство се използва за проектиране на усилватели или ключове. Следователно, той може да се счита за устройство, управлявано от ток. BJT се използва най-вече в усилвателни схеми.
IGBT (биполярен транзистор с изолиран порт)
IGBT е полупроводниково устройство с три терминала, известни като „Емитер“, „Колектор“и „Врата“. Това е вид транзистор, който може да се справи с по-голямо количество мощност и има по-висока скорост на превключване, което го прави високоефективен. IGBT е въведен на пазара през 1980 г.
IGBT има комбинираните характеристики както на MOSFET, така и на биполярен транзистор (BJT). Той се задвижва от порта като MOSFET и има характеристики на текущото напрежение като BJT. Следователно той има предимствата както на способност за обработка на висок ток, така и на лекота на управление. IGBT модулите (състоят се от няколко устройства) обработват киловати мощност.
Разлика между BJT и IGBT
1. BJT е устройство, управлявано от ток, докато IGBT се управлява от напрежението на портата
2. Терминалите на IGBT са известни като емитер, колектор и гейт, докато BJT се състои от емитер, колектор и основа.
3. IGBT са по-добри в управлението на мощността от BJT
4. IGBT може да се разглежда като комбинация от BJT и FET (транзистор с полеви ефекти)
5. IGBT има сложна структура на устройството в сравнение с BJT
6. BJT има дълга история в сравнение с IGBT
